预计2023 年 SiC 功率器件市场将增长 41.4% 至 22.8 亿美元

在可再生能源领域，onsemi已经开始与Ampt合作，为太阳能光伏和能量储存系统提供功率半导体器件。具体而言，Ampt将采用onsemi的SiC MOSFET用于其直流串优化器。

同样，英飞凌的CoolSiC器件已被台湾台达电子采用，用于其双向逆变器，可作为一种混合三合一系统，用于整合太阳能光伏、能量储存和电动车充电。

CoolSiC器件也被美国氢能平台开发商Bloom Energy选择，以进一步提高其燃料电池系统和电解器的效率。

SiC衬底不仅占据了SiC功率器件成本高达49％，还决定了产品的质量。目前，Wolfspeed拥有超过60％的SiC衬底市场份额。

最近，日本的Resonac（前身为昭和电工）与英飞凌达成了长期协议，首先供应主要为6英寸的SiC材料，然后支持英飞凌向8英寸SiC过渡。此外，法国Soitec公司扩大了与STMicroelectronics（ST）的合作，其中ST将使用Soitec的SmartSiC技术制造8英寸的SiC衬底。

关于SiC衬底生产能力的增长，Wolfspeed目前拥有一个生产8英寸SiC衬底的工厂，并计划在8英寸衬底上建造第二个SiC功率器件工厂，这次位于德国（汽车电子零部件制造商ZF集团是联合投资者之一，承诺投入数亿美元）。

目前，全球半导体公司高度关注SiC衬底直径的转变。预计其他供应商将紧随其后，并与上下游供应链中的各方展开合作。因此，市场研究公司TrendForce预测，全球SiC功率器件市场将在2026年上升至约53.3亿美元。两个最大的应用领域仍将是电动汽车（从2023年到2026年的CAGR约为38％，达到39.8亿美元）和可再生能源系统（从2023年到2026年的CAGR约为19％，达到4.1亿美元），TrendForce得出结论。

第三代（化合物）半导体市场涵盖了基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的产品。特别是，SiC产品占总市值的约80％。SiC适用于需要高电压和高电流的应用。采用SiC功率器件将进一步提高电动汽车和可再生能源系统的效率。