化学气相沉积 (CVD)

在这个过程中，基质被放置在一个反应器内，向其提供一些气体。该过程的基本原理是，源气体之间发生化学反应。该反应的产物是一种固体材料，凝结在反应器内的所有表面。

MEMS中最重要的两种CVD技术是低压CVD（LPCVD）和等离子体增强CVD（PECVD）。LPCVD工艺产生的膜层具有良好的厚度均匀性和材料特性。该工艺的主要问题是沉积温度高（高于600℃）和沉积速度相对缓慢。

图 1：典型的热壁 LPCVD 反应器。

什么时候要使用CVD？

当你想要一个具有良好台阶覆盖的薄膜时，CVD工艺是理想的选择。用这种技术可以沉积各种材料，然而，由于在加工过程中形成有害的副产品，其中一些材料不太受工厂欢迎。材料的质量因工艺而异，但一个好的经验法则是，较高的工艺温度产生的材料质量较高，缺陷较少。

电沉积

该过程也称为“电镀”，通常仅限于导电材料。基本上有两种电镀技术：电镀和化学镀。在电镀过程中，基板被放置在液体溶液（电解质）中。当在基板上的导电区域和液体中的对电极（通常是铂）之间施加电势时，会发生化学氧化还原过程，导致在基板上形成一层材料，并且通常会在该处产生一些气体反电极。

在化学镀工艺中，使用了更复杂的化学溶液，其中在与溶液形成足够高的电化学势的任何表面上自发发生沉积。这个过程是可取的，因为它不需要任何外部电势和在处理过程中与衬底的接触。不幸的是，在薄膜厚度和均匀性方面也更难控制。下图显示了典型电镀设置的示意图。