外延

这项技术与CVD工艺中发生的情况非常相似，但是，如果衬底是有序的半导体晶体（即硅、砷化镓），则可以使用此工艺继续在衬底上构建与衬底相同的晶体取向作为沉积的种子。如果使用非晶质/多晶质基底表面，薄膜也将是非晶质或多晶质的。

典型的冷壁气相外延反应器。

外延的一个优点是材料的高增长率，它允许形成具有相当厚度（>100µm）的薄膜。外延是一种广泛使用的技术，用于生产绝缘体上的硅（SOI）衬底。该技术主要用于硅的沉积。

什么时候要使用外延？

这一直是并将继续是MEMS的一项新兴工艺技术。该工艺可用于形成厚度为~1µm至>100µm的硅薄膜。有些工艺需要对基板进行高温暴露，而有些工艺则不需要对基板进行显著加热。一些工艺甚至可以用来进行选择性的沉积，这取决于基板的表面。

热氧化

这是最基本的沉积技术之一。它只是在富氧气氛中对基板表面进行氧化。将温度升高到 800° C-1100° C 以加速该过程。这也是唯一一种在进行过程中实际消耗部分基板的沉积技术。

典型的晶圆氧化炉。

在条件允许的情况下都可以!这是一个简单的工艺，不幸的是，它所生产的薄膜在MEMS元件中的用途有限。它通常用于形成用于电绝缘的薄膜或用于后续工艺顺序中的其他工艺目的的薄膜。