解决方案
SOLUTION
时间: 2023-05-29
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随着集成电路工艺的快速发展,超大规模芯片的晶体管和功能模块数量达到亿级,这预示着前所未有的计算能力,但也带来前所未有的功耗和发热难题。如何在继续提高集成度的同时控制功耗和热量,已成为影响其发展的最大困难。
后端功率供给正是应运而生,它可以在芯片背面直接为每个晶体管提供精确的功率,有效降低传统功率供给链中的功率损耗,同时也可以更好地与热管理方案结合,为每个功能模块提供定制的热解决方案。这种新的功率管理方式可以极大提高功率利用效率,有效控制功耗和热量,为继续推动超大规模芯片向更高集成度发展提供重要支撑。 后端功率供给需要在芯片背面制作二维阵列的微型垂直互联结构,每个互联结构直接对应一个晶体管,可以根据其功率需求独立供电。这种互联方式可以显著减少功率供给路径,降低传输损耗。同时,每个互联结构也可以根据功能模块的热特性采用定制的散热方案,实现精确而高效的热管理。 要实现后端功率供给,需要集成电路工艺、半导体器件、热传输和互联技术等领域的紧密协同和创新。后端功率供给为超大规模芯片发展指明了一个新的方向。它可以彻底改变传统的功率供给方式,在芯片内部实现更高精度和效率的功率管理。这将有助于进一步提高超大规模芯片的计算密度与能效,释放其潜在的计算能力,推动人工智能等技术取得突破性进展。 综上,超大规模芯片为计算机能力发展开辟新天地,但也面临严峻的功耗与热量难题。后端功率或许可以成为超大规模芯片获得突破的关键技术之一。不过要真正落地,还需要在多个领域进行技术创新与重大突破。这无疑是一个复杂的过程,需要持续的探索与协作。
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